基于原子薄的半导体中的逻辑中的逻辑

　　基于机器学习的应用程序的重要性日益增长的是，需要开发专用，节能的电子硬件。与具有单独的处理和存储单元的冯·诺伊曼体系结构相比，脑启发的内存计算使用相同的基本设备结构来用于逻辑操作和数据存储1,2,3，因此有望大大降低以数据为基础计算的能源成本4 。尽管有足够的研究专注于探索新的设备架构，但适合此类设备设计的材料平台的工程仍然是一个挑战。二维材料5,6 ，例如半导体二硫化钼MOS2，由于其出色的电气和机械性能7,8,9可能是此类平台的有希望的候选者。在这里，我们报告了我们对大面积MOS2的探索，作为基于浮栅场现场效应晶体管（FGFET）开发逻辑设备和电路的活跃通道材料。我们的FGFET的电导率可以精确，连续调整，使我们能够将它们用作可重构逻辑电路的构建块，其中可以使用内存元素直接执行逻辑操作。在演示了一个可编程或门之后，我们表明该设计可以简单地扩展以实现更复杂的可编程逻辑和功能上完整的操作集。我们的发现突出了原子薄的半导体对下一代低功率电子的发展的潜力。

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