无定形单层碳中的混乱调整电导率

　　由于难以确定3D结构中的精确原子位置1,2,3,4,4,5 ，因此与特性的无定形固体相关的原子构构（特定程度（DOD））是材料科学和凝结物理物理学的长期谜。为此，2D系统通过允许所有原子6,7的直接成像为难题提供了洞察力。通过激光辅助沉积生长的无定形单层碳（AMC）的直接成像已经解决了原子构构，从而支持了随机网络理论上的玻璃体固体的现代晶体视图8。然而，原子级结构与宏观特性之间的因果关系仍然难以捉摸。在这里，我们报告了通过不同的生长温度来调查AMC膜中DOD和电导率的便捷调整。具体而言，热解阈值温度是具有中等范围（MRO）的可变远程导电AMC增长的关键，而将温度提高25°C会导致AMC失去MRO并进行电绝缘，并且板电阻增加了109倍。除了可视化嵌入在连续的随机网络中的高度变形的纳米晶体外，原子分辨率电子显微镜还显示了纳米晶体的MRO和温度依赖性密度的不存在/存在，这两个阶参数提出了以充分描述DOD。数值计算建立了这两个参数的函数的电导率图，将微结构与电性能直接链接在一起。我们的工作代表了理解基本水平无定形材料的结构与专业关系的重要一步，并使用2D无定形材料为电子设备铺平了道路。

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